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분석 Lab 서비스

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분석 Lab 주요장비

광학현미경

검사 및 분석시 사용되며 BF, BD, Polarized, 3D, IR mode 등 다양한 모드를 사용합니다.

  • BF mode
  • 고배율
  • 3D mode
  • IR mode

FE-SEM

FE SEM
  • Resolution : 1nm@15kV
  • Sample size : < 50mm
General analysis
  • 관찰모드 : LEI, SE, BSE, EDS, Bias, Tilt Mode
  • EDS 성분 분석 : 포인트분석, line 분석, Mapping 분석

Examples

  • FE SEM
  • BSE mode
  • Plain view
  • 타일링 모드(사진합성)

응용분야

  • Low voltage contrast mode
  • Low electron charged mode
  • Low angle backscattered electron mode
  • Passive contrast mode
  • Energy dispersive spectroscopy

Two beam FIB

Two beam FIB
  • SE, BSE, EDS, Pt gas, Manipulator 포함
  • Sample size : < 50mm
일반 분석
  • FIB X-section with Pt depo
  • SE, BSE mode and Ion beam image
  • EDS 성분 분석 (포인트분석, line 분석, Mapping 분석)

Examples

  • X-section
  • X-section
  • TEM sample prep
  • Circuit modification

응용분야

  • High mag SEM image panorama 촬영(고배율 이미지 합성)
  • TEM Lamella 제작 및 in-situ pick up ( Pt depo, Cu grid, Mo Grid)
  • Al metal IC의 회로 수정
  • Passive voltage contrast
  • Automatic slicing and view
  • Energy dispersive spectroscopy

TEM 분석

TEM
TEM
  • 관찰모드 : TEM, STEM
  • EDS 성분 분석 : 포인트분석, line 분석, Mapping 분석

Examples

  • TEM mode
  • TEM mode

응용분야

  • Energy dispersive spectroscopy

Curve tracer (I-V measurement)

  • I-V curve measurement(Open, Short)
  • 370A 및 Probe station
  • 적용분야 : Package level IC
  • Fail SPL
  • Good SPL

Ion beam section

Ion beam section
  • High quality, large area 단면 분석
  • 최대 시료 크기: 10mm(W) x 10mm(L) x 1mm(T)
  • Cross section width : 약 300 ㎛
일반 분석
  • Solder ball, Bump 단면 분석
  • Crack, Delamination 계면 분석
  • Discrete device 단면분석

Examples

  • Ball bonding
  • MOSFET
  • LED

X-Ray 검사

2D X-ray 검사만 가능하며, Package 내 wire 단락 등 관찰이 가능 합니다.

SAT 검사

15M, 30M, 50M의 Transducer를 보유하고 있으며, Crack, Delamination등 관찰이 가능 합니다.

IR 현미경 검사

IR이 Si 기판을 투과하는 특성을 이용한 검사로 IC의 crack 등 검사에 활용됩니다.

EDS

EDS(Energy dispersive spectroscopy)
  • Oxford instruments
  • SDD sensor
General analysis
  • 포인트분석, line 분석, Mapping 분석

Point 분석(정성, 정량분석)


EDS Mapping 성분 분석